Pora grafito

Pora grafito estas ĉefe uzata en PVT (fizika vapora translokigo) de silicia karbido (SiC) kaj estas la kerna materialo de alttemperaturaj termikaj kampa sistemoj. La produkto estas farita el ultra-pureca izostatike premita grafito, kiu formas unuforman kaj kontroleblan poran strukturon per preciza CNC-maŝinado kaj porkontrola teknologio, certigante bonegan rendimenton sub ekstremaj procezkondiĉoj (2200℃). Ĝia unika dezajno signife plibonigas la homogenecon de la termika kampo kaj optimumigas la efikecon de gasa faza translokigo, kio estas ŝlosila garantio por altkvalita SiC-kristala kresko.

Kernaj trajtoj kaj procezaj avantaĝoj:

Ekstrema pureco kaj malalta difektofteco

La vakua alt-temperatura purigprocezo (traktado je 3000℃) estas uzata por plue redukti la enhavon de nemetalaj malpuraĵoj kiel oksigeno kaj nitrogeno. Forigu malpuraĵ-induktitajn kristalajn difektojn (kiel mikrotubulojn, dislokigojn) por certigi la elektran funkcian konstantecon de SiC-unuopaj kristaloj.

Ultraalta temperaturstabileco kaj termika kampokontrolo

En argona/vakua medio, ĝi povas elteni kontinuan funkciadon je 2200℃ dum pli ol 1000 horoj, malaltan koeficienton de termika ekspansio, kaj eviti materialajn fendetojn kaŭzitajn de termika streso.

La poreco subtenas gradientan distribuan dezajnon, kombinitan kun CFD-simulado por optimumigi la porgrandecon (10-200μm), precize reguligi la termikan kampodistribuon, redukti la temperaturgradientan fluktuon (ene de ±3℃), kaj plibonigi la kristalan kreskohomogenecon.

Agorditaj solvoj

Geometria adaptiĝo: Subtenu kompleksan formo-prilaboradon (kiel ekzemple ringoforma krisolo, plurtavola ŝildo), kongruante kun la klienta fornostrukturo.

Surfaca traktado: Provizu ultra-precizajn polurajn aŭ tegajn servojn por plibonigi korodreziston kaj servodaŭron.

Aplikaĵa rendimenta konfirmo

En la PVT SiC-kristaliga procezo, kiel krisolo kaj termika kampokomponento:

Pliigu la kreskorapidecon de kristaloj je 15%-20% (kompare kun tradicia grafito);

La rendimento de la obleto pliiĝis al pli ol 90% (4-cola SiC-unuopa kristalo);

La riparperiodo de la ekipaĵo estas plilongigita ĝis 6 monatoj (la kutimaj 3 monatoj).

Rapida Detalo:

1. Aliaj nomoj: PVT-grafita krisolo, siliciokarbida kresko kun pora grafito.

2. Apliko: PVT-metodo (fizika gastransporta metodo) SiC-unukristala kreskokerna termika kampokomponanto.

3. Kernaj parametroj: pureco ≥99.9995%, poreco 15-30%, temperaturrezisto 2200℃ (inerta gasa medio), varmokondukteco 100-150 W/m·K.

PVT-kreskiga forna muntado: Kiel parto de SiC-materiala sublimado kaj kristala kresko, provizas stabilan termikan kampodistribuon.

Termika kampa ŝirma komponento: pora strukturo efike reduktas termikan streson kaj plilongigas la servodaŭron de la ekipaĵo.

Semkristala krampo: alta mekanika forto por subteni la semkristalon, por certigi la direktan kreskon de la kristalo.

Tavolo de gasa difuzo: optimumigu la efikecon de gasa fazo, plibonigu la kvaliton kaj kreskorapidecon de unu-kristala mono.

Ultra-alta temperaturo-efikeco: neniu moliĝa deformiĝo je 2200℃, subtenante pli ol 1000 horojn da kontinua stabila funkciado.

Propra termika kampa dezajno: Kombinita kun CFD-simulado por optimumigi porgradienton, plibonigi kristalan homogenecon kaj rendimenton.

Rapida iteracia servo: provizu teston pri kongruigo de procezaj parametroj kaj liveru prototipan solvon ene de 72 horoj.