SiC-kovrita grafita tenilo por ICP

Plur-blata Si epitaksa prilabora platformo

La tenilo Semixlab SiC-kovrita grafita por ICP estas speciale desegnita por induktive kuplita plasma gravurado kaj deponado. Ĝi uzas altpurecan grafitan substraton kombinitan kun siliciokarbida tega procezo por provizi bonegan reziston al altaj temperaturoj, korodreziston kaj oksidiĝreziston. Ĝi taŭgas por severaj analizaj medioj, signife plilongigante la vivdaŭron de la komponentoj kaj reduktante bontenadkostojn. Samtempe, ni garantias striktan kvalito-kontrolon, personecigitajn servojn kaj rapidan liveradon.

apliko:

SiC-kovrita grafita tenilo estas ŝlosila komponanto en semikonduktaĵaj indukte kunligitaj plasmaj (ICP) gravuraj kaj deponaj procezoj pro ilia alta pureco, alta temperaturrezisto kaj bonega plasma eroziorezisto.

Servoj, kiujn oni povas provizi:

analizo de klientaj aplikaĵscenaroj, kongruigo de materialoj, solvado de teknikaj problemoj.

Kompanio Profilo:

Semixlab havas 2 laboratoriojn, teamon de fakuloj kun 20 jaroj da sperto pri materialoj, kun kapabloj pri esplorado kaj disvolvado kaj produktado, testado kaj konfirmado.

Teknikaj Parametroj

Ĉefaj aplikaj kampoj

Ekologia ĉena konfirmo-aprobo

La tenilo de Semixlab SiC-kovrita grafito por la ekologia ĉenkontrolo de ICP kovras krudmaterialojn ĝis produktado, pasis internacian norman atestadon, kaj havas kelkajn patentitajn teknologiojn por certigi ĝian fidindecon kaj daŭripovon en la kampoj de duonkonduktaĵoj kaj novaj energioj.

Por detalaj teknikaj specifoj, blankaj libroj, aŭ aranĝoj pri specimenaj testadoj, bonvolu kontakti nian Teknikan Subtenan Teamon por esplori kiel Semixlab povas plibonigi vian procesefikecon.

Semixlab SiC-kovrita grafita tenilo por ICP kernaj avantaĝoj

Supera korodrezisto

Grafitaj teniloj el SiC uzas kemian vapordeponan procezon por formi densan protektan tavolon de siliciokarbido sur la grafita surfaco, efike rezistante korodon de fortaj acidoj, bazoj kaj organikaj solviloj. Kompare kun tradiciaj grafitaj aŭ metalaj teniloj, ĉi tiuj teniloj estas pli stabilaj dum manipulado de tre korodaj specimenoj, malhelpante poluadon pro materiala degradiĝo. Ili estas precipe taŭgaj por ICP-aplikoj implikantaj longdaŭran eksponiĝon al korodaj medioj.

Alttemperatura stabileco

En la alt-temperatura ICP-plasma medio, ordinara grafito facile oksidiĝas kaj foriĝas, sed la SiC-tegaĵo signife malhelpas la reakcion inter la grafita substrato kaj oksigeno. Ĝia alt-temperatura rezisto certigas, ke la tenilo konservas sian strukturan integrecon sub longtempaj alt-temperaturaj funkciaj kondiĉoj, malhelpante degradiĝon de la instrumenta rendimento pro termika deformado aŭ materiala perdo. Ĝi estas aparte taŭga por la kontinuaj testaj bezonoj de alt-produktecaj laboratorioj.

Alta mekanika forto

SiC havas malmolecon proksiman al tiu de diamanto, kaj ĝia tegaĵo signife plibonigas la eluziĝreziston de la pli malmola surfaco. En ICP, SiC-tegaĵoj reduktas surfacan eluziĝon kaj plilongigas la precizecon de ŝlosilaj komponantoj, tiel konservante stabilan jonan transdonan efikecon kaj reduktante anstataŭigan oftecon.

Kostefika

Kompare kun pura SiC aŭ plateno, SiC-kovrita grafito konservas bonegan funkciadon samtempe reduktante kostojn je 30%-50%. Ĝia vivdaŭro estas 3-5-oble pli longa ol tiu de ordinaraj grafitaj teniloj, signife reduktante malfunkcitempon kaj konsumeblajn materialojn. Ĝi estas optimume kostefika solvo, precipe por laboratorioj kun limigitaj buĝetoj, kiuj postulas longdaŭran stabilan funkciadon.