Solida SiC-portanto

La Solida SiC-Portilo de Semixlab uzas altpurecan unukristalan SiC kiel substraton, kaj formas nanoskalan SiC-C-kompozitan protektan tavolon sur la surfaco per patentita tega procezo, kiu rekonstruas la funkcian limon de la portanta materialo je la molekula nivelo. Ĝia bonega funkciado devenas de la unika kristala strukturo kaj kovalentaj ligkarakterizaĵoj de SiC.

Materiaj propraĵoj

● Ekstreme alta termika stabileco kaj temperaturrezisto: SiC montras bonegan stabilecon je altaj temperaturoj kaj povas funkcii stabile en oksidiga medio ĝis 1600 °C, kaj ĝia sublima temperaturo povas eĉ atingi ĉirkaŭ 2700 °C. Ĉi tio faras SiC-portantojn ideala elekto por alttemperatura epitaksa kresko, kalcinado kaj aliaj procezoj, multe superante la toleremon de tradiciaj materialoj.

● Bonega varmokondukteco: La varmokondukteco de SiC je ĉambra temperaturo estas tiel alta kiel 120 W/m·K, kio estas 3-oble pli alta ol tiu de silicio (Si). Alta varmokondukteco certigas, ke la oblikvaĵo sur la portanto povas atingi unuforman temperaturdistribuon en alttemperaturaj procezoj, tiel certigante la unuformecon de la kreskokvalito de la epitaksia tavolo kaj reduktante varpiĝon kaj streĉon.

● Bonega mekanika forto kaj malmoleco: SiC havas ekstreme altan malmolecon (Mohs-malmoleco 9.0-9.5, Vickers-malmoleco 32 GPa), due nur post diamanto, kaj ankaŭ altan Young-modulon (440 GPa) kaj altan fleksoreziston (490 MPa). Ĉi tio igas la SiC-portilon ekstreme rezistema al eluziĝo kaj deformado dum mekanika frapo kaj alt-intensa manipulado, efike plilongigante ĝian servodaŭron.

Kial elekti la solidan SiC-portilon de Semixlab?

● Esploro kaj produktadokapabloj: Semixlab havas 2 esplorcentrojn, 2 produktadbazojn, 12 produktadliniojn, pli ol 150 dungitojn, kaj investoj en esplorcentro konsistigas pli ol 30%. Ĝi havas la kapablon produkti dekojn da miloj da SiC-produktoj ĉiujare.

● Teknikaj avantaĝoj: Sendepende disvolvas CVD-ekipaĵon kaj formulojn, subtenas altpurecan CVDSiC, TaC kaj aliajn tegaĵojn kaj solidajn SiC-materialojn, CNC-precizeca kontrolo povas atingi 3μm, cindroenhavo estas malpli ol 5ppm, kaj produkta agado estas industri-gvida.

● Kompleta provizsistemo: Semixlab havas sendependan linion por sintezado de silicia karbida materialo kaj precizan CNC-prilaboran platformon, kiu povas provizi Ø4" ~ Ø12" kaj personigitajn grandecojn, subteni rapidan liveradon kaj adaptiĝi al ĉefaj ekipaĵmarkoj kiel Veeco, AIXTRON kaj Applied Materials.

● Adaptado kaj unu-halta servo: Laŭ la bezonoj de la klientoj, ni povas provizi plenprocezajn servojn, de materiala elekto, esplorado kaj disvolviĝo, pilotprogramoj ĝis amasproduktado, por kontentigi diversajn bezonojn pri altkvalita semikonduktaĵa fabrikado.

● Internacia merkato kaj klientaro: Semixlab establis longdaŭran kunlaboron kun pli ol 30 klientoj pri fabrikado de vaflaj kaj kunmetitaj semikonduktaĵoj hejme kaj eksterlande, inkluzive de fabrikantoj de Mini LED, SiC-potencaj aparatoj, MEMS kaj RF-aparatoj.

Solida SiC-portilo fariĝis ŝlosila konsumaĵo en la kampoj de duonkonduktaĵa epitaksio, pakado, potencaj aparatoj, ktp., pro siaj bonegaj materialaj ecoj kaj proceza efikeco. Semixlab estas fidinda partnero, kiu provizas altkvalitajn kaj efikajn SiC-portilajn solvojn al tutmondaj klientoj per siaj fortaj kapabloj pri esplorado kaj disvolvado, fabrikado kaj adaptado.

Specifaj uzoj en semikonduktaĵa fabrikado

La bonega funkciado de Solida SiC-portilo igas ĝin ludi nemalhaveblan rolon en diversaj ŝlosilaj duonkonduktaĵaj fabrikadprocezoj, aparte taŭga por ligiloj kun ekstreme altaj postuloj pri temperaturo, pureco, homogeneco kaj mekanika stabileco. Oftaj aplikaj scenaroj estas jenaj:

1. Epitaksio

MOCVD-epitaksio: SiC-portanto estas la kerna komponanto de la kresko de GaN, GaAs, SiC kaj aliaj kunmetitaj duonkonduktaĵaj filmoj en MOCVD-ekipaĵo, kiel ekzemple barelaj susceptoroj kaj krespaj susceptoroj. Ĝia alta varmokondukteco certigas la temperaturan homogenecon en la reakcia ĉambro, kio estas decida por la homogeneco de filmdikeco, konsisto kaj dopado; ĝia alta pureco kaj kemia inerteco efike evitas malpuraĵan poluadon kaj certigas la elektrajn kaj optikajn ecojn de la epitaksa tavolo, precipe en la fabrikado de LED-oj, potencelektroniko kaj radiofrekvencaj aparatoj.

SiC-epitaksio: En fabrikado de SiC-potencaparatoj, SiC-portiloj estas idealaj platformoj por epitaksia kresko de SiC-platetoj. La termika ekspansiokoeficiento, kiu perfekte kongruas kun tiu de SiC-platetoj, efike reduktas la streson kaŭzitan de temperaturŝanĝoj dum la epitaksia procezo, tiel reduktante la difektoftecon kaj plibonigante la kvaliton de la epitaksia tavolo.

Silicio-bazita epitaksio: En progresintaj silicioprocezoj, SiC-aviad-kompanioj ankaŭ povas esti uzataj en certaj siliciaj epitaksioprocezoj, kiuj postulas pli altan temperaturhomogenecon kaj purecpostulojn.

2. Reciklado

Alt-temperatura aktiviga kalcinado: Post jona implantado, SiC-portiloj estas uzataj en alt-temperaturaj kalcinadaj procezoj por silicio- aŭ SiC-platetoj por aktivigi la enplantitajn dopantojn kaj ripari kraddifekton. La alt-temperatura stabileco kaj unuforma hejtadkapablo de SiC-portiloj certigas la efikecon de la kalcinada procezo kaj la integrecon de la plateto.

RTP (rapida termika kalcinado) portantoj: En rapida termika kalcinada ekipaĵo, SiC-portantoj povas elteni la severajn termikajn ciklojn de rapida hejtado kaj malvarmigo kaj konservi strukturan stabilecon, kiu taŭgas por progresintaj procezoj kiel fulmkalcinado.

3. Jona Implantado

Dopaĵaj kaj riparaj portantoj: SiC-portantoj estas uzataj por fiksi oblatojn dum jona implantado. Ilia alta mekanika forto kaj eluziĝrezisto certigas stabilecon sub jonfaska bombado. Samtempe, iliaj malaltaj partiklaj generadaj karakterizaĵoj ankaŭ reduktas poluadon dum la implantada procezo.

4. Aliaj aplikoj

Gravatprocezo: En iuj ICP (indukte kuplita plasmo) gravurado aŭ PSS (strukturita safira substrato) gravurado, SiC-aviad-kompanioj estas uzataj kiel fiksiloj aŭ substratoj pro sia rezisto al plasmokorodo kaj malaltaj partiklaj karakterizaĵoj.

Altpurecaj forntuboj/boatoj: En iuj altpurecaj difuzaj aŭ oksidigaj fornoj, SiC-materialoj ankaŭ estas transformitaj en forntubojn aŭ oblatajn boatojn por provizi ekstreme puran procezmedion.